News

近年、省エネルギーや低炭素社会に向けて、電気自動車（EV）や充電インフラ、再生可能エネルギーへの需要が拡大しています。こうした動きを背景に高温動作、高速動作、低オン抵抗などの利点を持つ炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップパワー半導体への関心が高まっています。

今回、弊社では熱抵抗が低い、全て銅めっきで相互接続（配線）された非常に薄型の両面放熱構造を持つインバータサブパワーモジュールパッケージを開発しました。
パネルレベルでワイヤーボンドを使わない非常にシンプルな構造のため、多数のチップを高密度に接続することができるようになります。

本製品は、チップレット集積パッケージ（PSB）と同じ300mm角のパネルプロセスをベースに使っており、今後、チップレット技術と並行してパネルレベルパッケージのパワーアプリケーションへの展開を拡大します。

尚、本内容は、 2024年3月18日～21日 米国 アリゾナ ファウンテンヒルズで開催される半導体パッケージング技術の国際学会「IMAPS DPC2024」で発表します。

　<発表タイトル>
　Scalable core package for Power module with Double-Sided Cooling Capability Applying Fan-out Panel-Level Process Suitable for SiC and GaN

　
　[IMAPS DPC2024]
　＜会期＞2024年3月18日～21日
　＜会場＞米国 アリゾナ ファウンテンヒルズ We-Ko-Paリゾート＆カンファレンスセンター
　＜URL＞https://imaps.org/page/Device-Packaging

また、本内容は発表に先行してIMAPSの学会誌 Advancing Microelectronics Magazine 2024 Volume 51に掲載されました。
　<掲載マガジン>
　Advancing Microelectronics Magazine