パワーパッケージ用ダイアタッチ材
省エネルギー・省電力化のためには、パワー半導体の電力効率の向上が求められています。
次世代パワー半導体として注目されているSiCやGaNには、高温動作に耐えうる材料が求められています。
焼結銀ペーストやSn-Cu系ペーストを用いることで、従来のAgペーストに比べて低抵抗、高熱伝導性、高耐熱性、高信頼性のダイアタッチが
可能となります。
特徴
- 低抵抗(10~15μΩ・cm)
- 高放熱
- 高信頼性
- 鉛フリー
- 低温焼結(200℃～250℃)
- 高耐熱(900℃以上)
用途
- 高融点はんだペースト代替
- インバータ
- スイッチング電源
- 次世代パワー半導体(SiC,GaN)
