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Paste for Power Semiconductor

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パワーパッケージ用ダイアタッチ材

省エネルギー・省電力化のためには、パワー半導体の電力効率の向上が求められています。
次世代パワー半導体として注目されているSiCやGaNには、高温動作に耐えうる材料が求められています。
焼結銀ペーストやSn-Cu系ペーストを用いることで、従来のAgペーストに比べて低抵抗、高熱伝導性、高耐熱性、高信頼性のダイアタッチが
可能となります。


断面観察

特徴

  • 低抵抗(10~15μΩ・cm)
  • 高放熱
  • 高信頼性
  • 鉛フリー
  • 低温焼結(200℃~250℃)
  • 高耐熱(900℃以上)

用途

  • 高融点はんだペースト代替
  • インバータ
  • スイッチング電源
  • 次世代パワー半導体(SiC,GaN)